IPA60R950C6、IPD60R950C6、IPB60R950C6对比区别
型号 IPA60R950C6 IPD60R950C6 IPB60R950C6
描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 860 mΩ 860 mΩ 950 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 26 W 37 W 37 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 4.4A 4.4A 4.4A
上升时间 8 ns 8 ns 8 nS
输入电容(Ciss) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds)
下降时间 13 ns 13 ns 13 nS
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 26W (Tc) 37W (Tc) 37W (Tc)
阈值电压 2.5 V 2.5 V -
额定功率(Max) 26 W 37 W -
长度 10.65 mm 6.5 mm 10 mm
宽度 4.85 mm 6.22 mm 9.25 mm
高度 16.15 mm 2.3 mm 4.4 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -