IPD60R950C6、IPP60R950C6、IPD60R950C6ATMA1对比区别

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型号 IPD60R950C6 IPP60R950C6 IPD60R950C6ATMA1

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  IPD60R950C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

漏源极电阻 860 mΩ 0.86 Ω 0.68 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 37 W 37 W 48 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4.4A 4.4A 4.4A

上升时间 8 ns 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 37 W 37 W 37 W

下降时间 13 ns 13 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 37W (Tc) 37W (Tc) 37W (Tc)

通道数 1 - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 2.5 V - 3 V

输入电容 - - 280 pF

漏源击穿电压 600 V - 600 V

长度 6.5 mm 10.36 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 4.57 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 15.95 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -