IRG4RC10SDTRLP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IRG4RC10SDTRLP中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 28 ns
额定功率Max 38 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRG4RC10SDTRLP引脚图与封装图
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在线购买IRG4RC10SDTRLP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4RC10SDTRLP | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRG4RC10SDTRLP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4RC10SDTRLP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRG4RC10SDTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 38000mW | 完全替代 | IGBT 晶体管 600V DC-1kHz | IRG4RC10SDTRLP和IRG4RC10SDTRPBF的区别 |