IRG4RC10SDTRLP、IRG4RC10SDTRPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRG4RC10SDTRLP IRG4RC10SDTRPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RIGBT 晶体管 600V DC-1kHz

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 38 W

耗散功率 - 38 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 28 ns 28 ns

额定功率(Max) 38 W 38 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 38000 mW

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free

ECCN代码 - EAR99