IS61DDB22M18-250M3

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DDR SRAM, 2MX18, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, FBGA-165

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 250MHz 165-LFBGA 13x15

得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

IS61DDB22M18-250M3中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.89 V max

时钟频率 250MHz max

存取时间 4.00 ns

内存容量 36000000 B

电源电压 1.71V ~ 1.89V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

IS61DDB22M18-250M3引脚图与封装图

IS61DDB22M18-250M3引脚图

IS61DDB22M18-250M3封装图

IS61DDB22M18-250M3封装焊盘图

在线购买IS61DDB22M18-250M3

型号	制造商	描述	购买
IS61DDB22M18-250M3	Integrated Silicon SolutionISSI	DDR SRAM, 2MX18, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, FBGA-165	搜索库存

替代型号IS61DDB22M18-250M3

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS61DDB22M18-250M3 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA 36000000B 1.8V 4ns	当前型号	DDR SRAM, 2MX18, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, FBGA-165	当前型号
型号： IS61DDB22M18A-250B4LI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	类似代替	静态随机存取存储器 36Mb, 2M x 18 DDR-II Sync 静态随机存取存储器	IS61DDB22M18-250M3和IS61DDB22M18A-250B4LI的区别
型号： IS61DDB22M18-250M3L 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	类似代替	DDR SRAM, 2MX18, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165	IS61DDB22M18-250M3和IS61DDB22M18-250M3L的区别
型号： IS61DDB22M18A-250M3L 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	功能相似	静态随机存取存储器 36Mb 250Mhz 2Mx18 DDR-II Sync 静态随机存取存储器	IS61DDB22M18-250M3和IS61DDB22M18A-250M3L的区别