IS61DDB22M18-250M3、IS61DDB22M18A-250B4LI、IS61DDB22M18A-250M3L对比区别

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型号 IS61DDB22M18-250M3 IS61DDB22M18A-250B4LI IS61DDB22M18A-250M3L

描述 DDR SRAM, 2MX18, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, FBGA-165静态随机存取存储器 36Mb, 2M x 18 DDR-II Sync 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 36Mb 250Mhz 2Mx18 DDR-II Sync 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 LBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

存取时间 4.00 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V

电源电压(DC) 1.80 V, 1.89 V (max) - -

时钟频率 250MHz (max) - -

内存容量 36000000 B - -

供电电流 - - 500 mA

位数 - - 18

存取时间(Max) - - 0.45 ns

封装 LBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99