IS61DDB22M18-250M3、IS61DDB22M18A-250M3L、IS61DDB22M18A-250B4LI对比区别
型号 IS61DDB22M18-250M3 IS61DDB22M18A-250M3L IS61DDB22M18A-250B4LI
描述 DDR SRAM, 2MX18, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, FBGA-165静态随机存取存储器 36Mb 250Mhz 2Mx18 DDR-II Sync 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 36Mb, 2M x 18 DDR-II Sync 静态随机存取存储器
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 LBGA-165 FBGA-165 LBGA-165
引脚数 - 165 165
电源电压(DC) 1.80 V, 1.89 V (max) - -
时钟频率 250MHz (max) - -
存取时间 4.00 ns 0.45 ns 0.45 ns
内存容量 36000000 B - -
电源电压 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V
供电电流 - 500 mA -
位数 - 18 -
存取时间(Max) - 0.45 ns -
工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃
封装 LBGA-165 FBGA-165 LBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 - EAR99 -