FDB12N50FTM-WS
ON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
FDB12N50FTM-WS中文资料参数规格
技术参数
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 1050pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 165000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
封装 TO-263
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FDB12N50FTM-WS引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB12N50FTM-WS | ON Semiconductor 安森美 | N沟道 500V 11.5A | 搜索库存 |