制造商型号： | FDB12N50FTM-WS |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FDB12N50FTM-WS
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FDB12N50FTM-WS 中文资料
数据手册PDF
FDB12N50FTM-WS 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 590 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 21 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDB12N50FTM_WS
单位重量 4 g
FDB12N50FTM-WS 同类别型号
库存： 1600
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
FDB12N50FTM-WS品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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