FDS6673BZ-F085
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
FDS6673BZ-F085中文资料参数规格
技术参数
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 3500pF @15VVds
下降时间 105 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDS6673BZ-F085引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6673BZ-F085 | ON Semiconductor 安森美 | P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -14.5A, 7.8mΩ, SO 8L NB, 2500-REEL | 搜索库存 |