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FQD4P25TM-WS

FQD4P25TM-WS

数据手册.pdf
ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -250 V, 1.63 ohm, -10 V, -5 V

表面贴装型 P 通道 250 V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) TO-252AA


立创商城:
FQD4P25TM-WS


得捷:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -250 V, 1.63 ohm, -10 V, -5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


FQD4P25TM-WS中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.63 Ω

耗散功率 45 W

输入电容 325 pF

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 325pF @25VVds

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FQD4P25TM-WS引脚图与封装图
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FQD4P25TM-WS ON Semiconductor 安森美 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -250 V, 1.63 ohm, -10 V, -5 V 搜索库存