FQD4P25TM-WS
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
针脚数 3
漏源极电阻 1.63 Ω
耗散功率 45 W
输入电容 325 pF
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 325pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FQD4P25TM-WS | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -250 V, 1.63 ohm, -10 V, -5 V | 搜索库存 |