FDD5810-F085

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V

N-Channel 60V 7.4A Ta, 37A Tc Surface Mount D-PAK TO-252

得捷:
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK

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FDD5810-F085

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晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V

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Trans MOSFET N-CH 60V 7.4A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

FDD5810-F085中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.018 Ω

耗散功率 72 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 1420pF @25VVds

下降时间 34 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 72000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDD5810-F085引脚图与封装图

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FDD5810-F085	ON Semiconductor 安森美	晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V	搜索库存