FQI7N60、IRF830ALPBF、STB6NK60Z-1对比区别

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型号 FQI7N60 IRF830ALPBF STB6NK60Z-1

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETMOSFET N-CH 500V 5A TO262-3N沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.4A - -

耗散功率 - 3.1W (Ta), 74W (Tc) 110W (Tc)

输入电容(Ciss) - 620pF @25V(Vds) 905pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 74W (Tc) 110W (Tc)

输入电容 - - 905 pF

上升时间 - - 14 ns

额定功率(Max) - - 110 W

下降时间 - - 19 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)