额定电压DC 60.0 V
额定电流 36.0 A
漏源极电阻 91.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 75W Tc
输入电容 1.85 nF
栅电荷 16.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 118 ns
输入电容Ciss 1850pF @25VVds
额定功率Max 75 W
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDD24AN06LA0 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDD24AN06LA0 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 60V 36A 91mohms 1.85nF | 当前型号 | N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET | 当前型号 | |
型号: FDD24AN06LA0_F085 品牌: 飞兆/仙童 封装: DPAK-2 N-CH 60V 7.1A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDD24AN06LA0和FDD24AN06LA0_F085的区别 | |
型号: FDD24AN06LA0-F085 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A ID, 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDD24AN06LA0和FDD24AN06LA0-F085的区别 | |
型号: DD24 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A ID, 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDD24AN06LA0和DD24的区别 |