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FDD24AN06LA0

FDD24AN06LA0

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDD24AN06LA0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 36.0 A

漏源极电阻 91.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 75W Tc

输入电容 1.85 nF

栅电荷 16.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

上升时间 118 ns

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

额定功率Max 75 W

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDD24AN06LA0引脚图与封装图
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在线购买FDD24AN06LA0
型号 制造商 描述 购买
FDD24AN06LA0 Fairchild 飞兆/仙童 N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET 搜索库存
替代型号FDD24AN06LA0
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDD24AN06LA0

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 60V 36A 91mohms 1.85nF

当前型号

N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET

当前型号

型号: FDD24AN06LA0_F085

品牌: 飞兆/仙童

封装: DPAK-2 N-CH 60V 7.1A

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FDD24AN06LA0和FDD24AN06LA0_F085的区别

型号: FDD24AN06LA0-F085

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 7.1A ID, 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

FDD24AN06LA0和FDD24AN06LA0-F085的区别

型号: DD24

品牌: 飞兆/仙童

封装:

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FDD24AN06LA0和DD24的区别