FDD24AN06LA0、FDD24AN06LA0-F085、FDD24AN06LA0_F085对比区别

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型号 FDD24AN06LA0 FDD24AN06LA0-F085 FDD24AN06LA0_F085

描述 N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFETPower Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-252-3 D-PAK TO-252-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-252-3 D-PAK TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 75W (Tc) - 75 W

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 36.0 A - 7.1A

输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) - 1850pF @25V(Vds)

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 75W (Tc) - 75W (Tc)

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 36.0 A - -

漏源极电阻 91.0 mΩ - -

输入电容 1.85 nF - -

栅电荷 16.0 nC - -

漏源击穿电压 60.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 118 ns - -

额定功率(Max) 75 W - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -