DD24、FDD24AN06LA0对比区别

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型号 DD24 FDD24AN06LA0

描述 Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount

封装 D-PAK TO-252-3

额定电压(DC) - 60.0 V

额定电流 - 36.0 A

漏源极电阻 - 91.0 mΩ

极性 - N-Channel

耗散功率 - 75W (Tc)

输入电容 - 1.85 nF

栅电荷 - 16.0 nC

漏源极电压(Vds) - 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 36.0 A

上升时间 - 118 ns

输入电容(Ciss) - 1850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 75 W

耗散功率(Max) - 75W (Tc)

封装 D-PAK TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99