FDS3670
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS3670中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 22 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.30 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2490pF @50VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS3670引脚图与封装图
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在线购买FDS3670
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS3670 | Fairchild 飞兆/仙童 | 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS3670
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS3670 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 100V 6.3A 22mohms | 当前型号 | 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS3680 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 100V 5.2A 32mohms | 类似代替 | 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS3670和FDS3680的区别 |
| 型号： PSMN038-100K,518 品牌： 恩智浦 封装： SOT96 N-CH 100V 6.3A | 功能相似 | SO N-CH 100V 6.3A | FDS3670和PSMN038-100K,518的区别 |
| 型号： FDS3690 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 100V 4.2A 64mΩ | 功能相似 | 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS3670和FDS3690的区别 |