FDS3670、PSMN038-100K,518对比区别

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型号 FDS3670 PSMN038-100K,518

描述 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFETSO N-CH 100V 6.3A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8

通道数 1 -

漏源极电阻 22 mΩ -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 3.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.30 A 6.3A

上升时间 10 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 2490pF @50V(Vds) 1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 3.5 W

下降时间 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 3.5W (Tc)

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -