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FDS3670、FDS3680、PSMN038-100K,518对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS3670 FDS3680 PSMN038-100K,518

描述 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFETMOSFET N-CH 100V SOT96-1

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta) 3.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 10 ns - 13 ns

输入电容(Ciss) 2490pF @50V(Vds) 1735pF @50V(Vds) 1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 3.5 W

下降时间 25 ns - 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 3.5W (Tc)

漏源极电阻 22 mΩ 32.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.30 A 5.20 A -

通道数 1 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -