FDMC7672、FDZ206P、FDMC7672S对比区别
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。P沟道2.5V指定的PowerTrench P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchPowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 MLP-8 WFBGA-30 Power-33-8
漏源极电阻 0.0043 Ω 9.50 mΩ 0.005 Ω
极性 N-Channel P-Channel N-Channel
耗散功率 2.3 W 2.2W (Ta) 36 W
阈值电压 1.9 V - 1.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 16.9A 13.0 A 14.8A
上升时间 6 ns - 4 ns
输入电容(Ciss) 3890pF @15V(Vds) 4280pF @10V(Vds) 2520pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 2.2 W 2.3 W
下降时间 5 ns - 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 33W (Tc) 2.2W (Ta) 2.3W (Ta), 36W (Tc)
额定电压(DC) - -20.0 V -
额定电流 - -13.0 A -
漏源击穿电压 - 20.0 V -
栅源击穿电压 - ±12.0 V -
长度 3.3 mm - 3.3 mm
宽度 3.3 mm - 3.3 mm
高度 0.75 mm - 0.75 mm
封装 MLP-8 WFBGA-30 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 -