FDS8934A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8934A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.00 A
漏源极电阻 55.0 mΩ
极性 Dual P-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 1.13 nF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 -20.0 V
连续漏极电流Ids -4.00 A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 1130pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS8934A引脚图与封装图
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在线购买FDS8934A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8934A | Fairchild 飞兆/仙童 | 双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 搜索库存 |
替代型号FDS8934A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8934A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC Dual P-Channel -20V -4A 55mohms 1.13nF | 当前型号 | 双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 当前型号 |
| 型号： FDS4953 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -30V -5A 55mohms 528pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4953 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 V | FDS8934A和FDS4953的区别 |
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| 型号： NTMD6N02R2G 品牌： 安森美 封装： SOIC N-Channel 20V 6.5A 35mohms | 功能相似 | N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | FDS8934A和NTMD6N02R2G的区别 |