FDS8934A、NTMD6N02R2G、SI9933CDY-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDS8934A NTMD6N02R2G SI9933CDY-T1-GE3

描述 双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorN 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V 20.0 V -

额定电流 -4.00 A 6.00 A -

通道数 - 2 -

漏源极电阻 55.0 mΩ 0.035 Ω 0.048 Ω

极性 Dual P-Channel, P-Channel N-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 - 900 mV 1.4 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V 20 V -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) -4.00 A 6.50 A 4A

上升时间 23 ns 50.0 ns -

输入电容(Ciss) 1130pF @10V(Vds) 1100pF @16V(Vds) 665pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 730 mW 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

耗散功率(Max) - 2 W 2000 mW

针脚数 - - 8

输入电容 1.13 nF - -

栅电荷 20.0 nC - -

下降时间 90 ns - -

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm

高度 1.75 mm 1.5 mm 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 -