FDFS6N303、SI4435DY、FDS9926A对比区别

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型号 FDFS6N303 SI4435DY FDS9926A

描述 N沟道MOSFET和肖特基二极管 N-Channel MOSFET with Schottky DiodeFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4435DY.  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9926A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V -30.0 V 20.0 V

额定电流 6.00 A -8.80 A 6.50 A

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 35.0 mΩ 0.015 Ω 0.025 Ω

极性 N-Channel P-Channel Dual N-Channel

耗散功率 900mW (Ta) 2.5 W 2 W

输入电容 - 1.60 nF 650 pF

栅电荷 - 17.0 nC 6.20 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 30.0 V -150 V 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±10.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A -8.80 A 6.50 A

上升时间 12.0 ns 13.5 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 350pF @15V(Vds) 1604pF @15V(Vds) 650pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 1 W 900 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 900mW (Ta) 2.5W (Ta) 2000 mW

通道数 - - 2

阈值电压 - - 1 V

下降时间 - - 4 ns

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.57 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR