FDD6680
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6680中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1230pF @15VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 56W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD6680引脚图与封装图
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在线购买FDD6680
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6680 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench ？ MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench? MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD6680
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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