FDD6680、FDD8880、FDD6680_NL对比区别

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型号 FDD6680 FDD8880 FDD6680_NL

描述 N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench ？ MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench? MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.5 V30V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 58.0 A 12A

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 58.0 A -

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 10 mΩ 0.007 Ω -

耗散功率 3.3 W 55 W -

阈值电压 - 2.5 V -

输入电容 - 1.26 nF -

栅电荷 - 23.0 nC -

漏源击穿电压 30 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

上升时间 7 ns 91 ns -

输入电容(Ciss) 1230pF @15V(Vds) 1260pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1.5 W 55 W -

下降时间 12 ns 32 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 56W (Tc) 55W (Tc) -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -