FDR8508P、SI4947ADY-T1-E3、SI4947ADY-T1-GE3对比区别

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型号 FDR8508P SI4947ADY-T1-E3 SI4947ADY-T1-GE3

描述 双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFETTrans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8Pin SOIC N T/RMOSFET 30V 3.9A 2W 80mohm @ 10V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SSOT-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -3.00 A - -

漏源极电阻 40.0 mΩ 0.135 Ω -

极性 P-Channel Dual P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 800 mW 1.2 W -

输入电容 750 pF - -

栅电荷 8.00 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 -30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A -3.00 A -3.00 A

上升时间 14.0 ns 9 ns -

输入电容(Ciss) 750pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 800 mW 1.2 W 1.2 W

热阻 - 87℃/W (RθJA) -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2 W -

封装 SSOT-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.55 mm 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 - -