FDS4885C
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4885C中文资料参数规格
技术参数
额定电流 7.50 A
漏源极电阻 17.0 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 1.56 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 14.0 ns
输入电容Ciss 900pF @20VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS4885C引脚图与封装图
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在线购买FDS4885C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4885C | Fairchild 飞兆/仙童 | 双N和P沟道PowerTrench MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS4885C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS4885C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 6A 17mohms 1.56nF | 当前型号 | 双N和P沟道PowerTrench MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS4885C_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 40V Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET | FDS4885C和FDS4885C_NL的区别 |