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FDS4885C、FDS4885C_NL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4885C FDS4885C_NL

描述 双N和P沟道PowerTrench MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET40V Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC

引脚数 8 -

极性 N-Channel, P-Channel N+P

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 7.5A/6A

额定电流 7.50 A -

漏源极电阻 17.0 mΩ -

耗散功率 2 W -

输入电容 1.56 nF -

栅电荷 29.0 nC -

漏源击穿电压 40.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

上升时间 14.0 ns -

输入电容(Ciss) 900pF @20V(Vds) -

额定功率(Max) 900 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SOIC-8 SOIC

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -