FDS8884、FDS9412A、IRF7403TRPBF对比区别

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型号 FDS8884 FDS9412A IRF7403TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8884  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 30 V, 19 mohm, 10 V, 1.7 V 新N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 8A ， 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhmINFINEON  IRF7403TRPBF  场效应管, MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.019 Ω 140 mΩ 0.035 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.50 A 8.00 A 8.50 A

上升时间 9 ns 13 ns 37 ns

输入电容(Ciss) 635pF @15V(Vds) 985pF @15V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns 12 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 8.50 A - 8.50 A

针脚数 8 - 8

阈值电压 1.7 V - 1 V

输入电容 635 pF - -

栅电荷 13.0 nC - -

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

额定功率 - - 2.5 W

产品系列 - - IRF7403

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -