FDS9412A、IRF7201TRPBF、IRF7201PBF对比区别
型号 FDS9412A IRF7201TRPBF IRF7201PBF
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 8A ， 21mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhmHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道 30V 7.3A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V
额定电流 - 7.30 A 7.30 A
额定功率 - 2.5 W -
通道数 1 1 -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 140 mΩ 30 mΩ 0.05 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.00 A 7.30 A
上升时间 13 ns 35 ns 35.0 ns
输入电容(Ciss) 985pF @15V(Vds) 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 12 ns 19 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc) -
产品系列 - - IRF7201
输入电容 - - 550pF @25V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 4.9 mm 5 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm -
高度 1.75 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -