2SK2237、FDA28N50F、2SK2010对比区别
描述 SILICON N CHANNEL MOS TYPEUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。4A, 250V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220ML, TO-220ML, 3 PIN
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-3-3 TO-220
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 175 mΩ -
极性 - N-CH -
耗散功率 - 310 W -
漏源极电压(Vds) - 500 V -
漏源击穿电压 - 500 V -
连续漏极电流(Ids) - 28A -
上升时间 - 137 ns -
输入电容(Ciss) - 5387pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 310 W -
下降时间 - 101 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 310W (Tc) -
长度 - 15.8 mm -
宽度 - 5 mm -
高度 - 20.1 mm -
封装 - TO-3-3 TO-220
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -