FDP047N08、STP140NF75、IRF2907ZPBF对比区别

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型号 FDP047N08 STP140NF75 IRF2907ZPBF

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 75.0 V 75.0 V

额定电流 - 120 A 75.0 A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.0037 Ω 0.0075 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 268 W 310 W 300 W

阈值电压 3.5 V 4 V -

输入电容 - 5000 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 164A 120 A 75.0 A

上升时间 147 ns 140 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 9415pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 268 W 310 W 300 W

下降时间 114 ns 90 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 268W (Tc) 310W (Tc) -

产品系列 - - IRF2907Z

长度 10.67 mm 10.4 mm -

宽度 4.83 mm 4.6 mm -

高度 16.51 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99