FQA9N90C、FQA9N90C_F109、FQA9N90C-F109对比区别

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型号 FQA9N90C FQA9N90C_F109 FQA9N90C-F109

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETQFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。900V N-channel Mosfet

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 1.40 Ω 1.12 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 280W (Tc) 280 W -

阈值电压 - 5 V -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9A -

输入电容(Ciss) 2730pF @25V(Vds) 2730pF @25V(Vds) 2730pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 280 W 280 W

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 280W (Tc) 280W (Tc) -

额定电压(DC) 900 V - -

额定电流 9.00 A - -

漏源击穿电压 900 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

长度 - 15.8 mm -

宽度 - 5 mm -

高度 - 18.9 mm -

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Rail, Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -