
额定电压DC 30.0 V
额定电流 10.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 1.21 nF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1205pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS4410A | Fairchild 飞兆/仙童 | 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的 Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS4410A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 10A 1.21nF | 当前型号 | 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的 Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
型号: STS11NF30L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FDS4410A和STS11NF30L的区别 | |
型号: STS11N3LLH5 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V | FDS4410A和STS11N3LLH5的区别 | |
型号: PHN1013 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | N沟道增强型MOS晶体管 N-channel enhancement mode MOS transistor | FDS4410A和PHN1013的区别 |