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FDS4410A、STS11N3LLH5、PHN1013对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4410A STS11N3LLH5 PHN1013

描述 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的 Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFETSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VN沟道增强型MOS晶体管 N-channel enhancement mode MOS transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 10.0 A - -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.5 W 2.7 W -

输入电容 1.21 nF - -

栅电荷 12.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A - -

上升时间 5 ns - -

输入电容(Ciss) 1205pF @15V(Vds) 724pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W 2.7 W -

下降时间 9 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2500 mW 2.7W (Tc) -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0117 Ω -

阈值电压 - 1 V -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -