FDS4410A、PHN1013、SI4384DY-T1-E3对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDS4410A PHN1013 SI4384DY-T1-E3

描述 单N沟道逻辑电平， PowerTrench MOSFET的 Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFETN沟道增强型MOS晶体管 N-channel enhancement mode MOS transistorSOIC-8 N-CH 30V 10A 8.5mΩ

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 - SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 10.0 A - -

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 2.5 W - 1.47 W

输入电容 1.21 nF - -

栅电荷 12.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A - 10A

上升时间 5 ns - 13 ns

输入电容(Ciss) 1205pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 1 W - 1.47 W

下降时间 9 ns - 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW - 1470 mW

漏源极电阻 - - 8.5 mΩ

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 - SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown -

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -