FDU7030BL
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDU7030BL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 56.0 A
通道数 1
漏源极电阻 9.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
输入电容 1.42 nF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1425pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDU7030BL引脚图与封装图
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在线购买FDU7030BL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDU7030BL | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDU7030BL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDU7030BL 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251-3 N-Channel 30V 56A 9.5mohms 1.42nF | 当前型号 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDU8880 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 30V 58A 10mohms 1.26nF | 类似代替 | N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 58A ，10M N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 58A, 10m | FDU7030BL和FDU8880的区别 |
| 型号： ISL9N310AD3 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 30V 35A 15mΩ | 功能相似 | N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs | FDU7030BL和ISL9N310AD3的区别 |