锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDU7030BL、FDU8880、ISL9N310AD3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDU7030BL FDU8880 ISL9N310AD3

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道PowerTrench MOSFET的30V , 58A ,10M N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 58A, 10mN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251

漏源极电阻 9.5 mΩ 10.0 mΩ 15.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.8 W 55W (Tc) 70 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 58.0 A 35.0 A

下降时间 13 ns - 38 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 56.0 A 58.0 A -

通道数 1 - -

输入电容 1.42 nF 1.26 nF -

栅电荷 14.0 nC 23.0 nC -

上升时间 9 ns 91.0 ns -

输入电容(Ciss) 1425pF @15V(Vds) 1260pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1.3 W 55 W -

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc) 55W (Tc) -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251

长度 10.67 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 16.3 mm - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -