FDU7030BL、ISL9N310AD3、FDU8880对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDU7030BL ISL9N310AD3 FDU8880

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 58A ，10M N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 58A, 10m

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

漏源极电阻 9.5 mΩ 15.0 mΩ 10.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.8 W 70 W 55W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 35.0 A 58.0 A

下降时间 13 ns 38 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 56.0 A - 58.0 A

通道数 1 - -

输入电容 1.42 nF - 1.26 nF

栅电荷 14.0 nC - 23.0 nC

上升时间 9 ns - 91.0 ns

输入电容(Ciss) 1425pF @15V(Vds) - 1260pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W - 55 W

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc) - 55W (Tc)

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

长度 10.67 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 16.3 mm - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99