制造商型号： | FQD2N90TM |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FQD2N90TM
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FQD2N90TM 中文资料
数据手册PDF
FQD2N90TM 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 7.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导（Min） 1.7 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 2
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.79456 | 3.79 |
品牌其他型号
FQD2N90TM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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