FDS7096N3
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS7096N3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 14.0 A
漏源极电阻 9.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3W Ta
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 13.0 ns
输入电容Ciss 1587pF @15VVds
额定功率Max 1.5 W
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS7096N3引脚图与封装图
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在线购买FDS7096N3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS7096N3 | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS7096N3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS7096N3 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 14A 9mohms | 当前型号 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
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| 型号： HAT2168H 品牌： 瑞萨电子 封装： LFPAK N-CH 30V 30A | 功能相似 | 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching | FDS7096N3和HAT2168H的区别 |