FDS7096N3、STSJ25NF3LL、HAT2168H-EL-E对比区别
型号 FDS7096N3 STSJ25NF3LL HAT2168H-EL-E
描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道30V - 0.009ohm - 25A PowerSO - 8⑩低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.009ohm - 25A PowerSO-8⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 5
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOT-669
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 14.0 A 25.0 A 30.0 A
漏源极电阻 9.00 mΩ 10.5 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 3W (Ta) 70W (Tc) 15W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 25.0 A 55.0 A
上升时间 13.0 ns - 20 ns
输入电容(Ciss) 1587pF @15V(Vds) 1650pF @25V(Vds) 1730pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.5 W 70 W 15 W
耗散功率(Max) 3W (Ta) 70W (Tc) 15W (Tc)
输入电容 - - 5.18 nF
栅电荷 - - 33.0 nC
下降时间 - - 4 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOT-669
高度 - - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -