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FDS7096N3、HAT2168H、HAT2168H-EL-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS7096N3 HAT2168H HAT2168H-EL-E

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 5 5

封装 SOIC-8 LFPAK SOT-669

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 14.0 A 30.0 A 30.0 A

极性 N-Channel N-CH -

漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 30.0 A 55.0 A

上升时间 13.0 ns 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1587pF @15V(Vds) 1730pF @10V(Vds) 1730pF @10V(Vds)

下降时间 - 4 ns 4 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

漏源极电阻 9.00 mΩ - -

耗散功率 3W (Ta) - 15W (Tc)

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

额定功率(Max) 1.5 W - 15 W

耗散功率(Max) 3W (Ta) - 15W (Tc)

输入电容 - - 5.18 nF

栅电荷 - - 33.0 nC

封装 SOIC-8 LFPAK SOT-669

高度 - - 1 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -