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FDD13AN06A0、IRLR2905TRPBF、IRLR2905PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD13AN06A0 IRLR2905TRPBF IRLR2905PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD13AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 VN沟道,55V,42A,27mΩ@10VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR2905PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 42A, D-PAKS 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 55.0 V 55.0 V

额定电流 9.90 A 42.0 A 41.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0115 Ω 0.04 Ω 27 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 115 W 110 W 110 W

产品系列 - IRLR2905 IRLR2905

阈值电压 4 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 60.0 V 55 V 55.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 36.0 A, 42.0 A 42.0 A

上升时间 77.0 ns 84.0 ns 84.0 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 115 W 110 W 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

通道数 1 - -

输入电容 1.35 nF 1700pF @25V -

栅电荷 22.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 115W (Tc) - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 EAR99 - -