FQPF4N25、SSS7N60、SPP02N60C3对比区别

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型号 FQPF4N25 SSS7N60 SPP02N60C3

描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN-CH 600V 4AINFINEON  SPP02N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-220-3 SFM TO-220-3

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 250 V 600 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 2.8A 4A 1.80 A

耗散功率 32W (Tc) - 25 W

输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) - 200pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 32W (Tc) - -

额定电压(DC) - - 650 V

额定电流 - - 1.80 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 2.7 Ω

阈值电压 - - 3 V

输入电容 - - 200 pF

栅电荷 - - 12.5 nC

上升时间 - - 3 ns

额定功率(Max) - - 25 W

下降时间 - - 12 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

封装 TO-220-3 SFM TO-220-3

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 15.65 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tube

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17