FQD5N60CTM、STD4NK60ZT4、FQD5N60CTM_F080对比区别

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型号 FQD5N60CTM STD4NK60ZT4 FQD5N60CTM_F080

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD5N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 2.3 VTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 49 W 70 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 2.80 A 4.00 A 2.8A

上升时间 42 ns 9.5 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)

下降时间 46 ns 16.5 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 70000 mW 2.5W (Ta), 49W (Tc)

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 5.00 A 4.00 A -

额定功率 - 70 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 2 Ω 2 Ω -

阈值电压 4 V 2.3 V -

漏源击穿电压 - 600 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

额定功率(Max) 2.5 W 70 W -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -