FJE5304D
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJE5304D中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 30 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 8 @2A, 5V
额定功率Max 30 W
耗散功率Max 30000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
宽度 3.25 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJE5304D引脚图与封装图
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在线购买FJE5304D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJE5304D | Fairchild 飞兆/仙童 | 高压高速功率开关应用 High Voltage High Speed Power Switch Application | 搜索库存 |
替代型号FJE5304D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJE5304D 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 400V 4A 30000mW | 当前型号 | 高压高速功率开关应用 High Voltage High Speed Power Switch Application | 当前型号 |
| 型号： FJE5304DTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 400V 4A 30000mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 700V/400V/4A/NPN | FJE5304D和FJE5304DTU的区别 |
| 型号： JE-5 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor, TO-126 SOT32 UNIFIED DRAWING TSTU, TSSTU, STANDARD, 2000/BULK | FJE5304D和JE-5的区别 |