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FJE5304D、JE-5、FJE5304DTU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJE5304D JE-5 FJE5304DTU

描述 高压高速功率开关应用 High Voltage High Speed Power Switch ApplicationNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 2000/BULK双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 700V/400V/4A/NPN

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126 TO-126-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 400 V - 400 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

极性 NPN - NPN

耗散功率 30 W - 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V - 400 V

集电极最大允许电流 4A - 4A

最小电流放大倍数(hFE) 8 @2A, 5V - 8 @2A, 5V

额定功率(Max) 30 W - 30 W

耗散功率(Max) 30000 mW - 30000 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

宽度 3.25 mm - 3.25 mm

封装 TO-126-3 TO-126 TO-126-3

长度 - - 8 mm

高度 - - 11.2 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99