FDC606P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC606P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -6.00 A
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.026 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
输入电容 1.70 nF
栅电荷 18.0 nC
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 -12.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 6.00 A, -6.00 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1699pF @6VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDC606P引脚图与封装图
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在线购买FDC606P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC606P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC606P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -500 mV | 搜索库存 |
替代型号FDC606P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDC606P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT P-Channel -12V 6A 21mohms 1.7nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC606P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -500 mV | 当前型号 |
| 型号： SI3473CDV-T1-GE3 品牌： 威世 封装： 6-TSOP P-Channel 12V 8A 22mΩ | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V | FDC606P和SI3473CDV-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI3473DV-T1-E3 品牌： 威世 封装： 6-TSOP P-Channel 12V 5.9A 23mΩ | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.9 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -1 V | FDC606P和SI3473DV-T1-E3的区别 |