FDC606P、SI3473CDV-T1-GE3、SI3473DV-T1-E3对比区别

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型号 FDC606P SI3473CDV-T1-GE3 SI3473DV-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC606P  晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -500 mV晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V晶体管, MOSFET, P沟道, -5.9 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP-6

额定电压(DC) -12.0 V - -

额定电流 -6.00 A - -

通道数 1 - -

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.026 Ω 0.016 Ω 0.019 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.6 W 2 W 1.1 W

输入电容 1.70 nF 2010 pF -

栅电荷 18.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V

漏源击穿电压 -12.0 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A, -6.00 A 8A -5.90 A

上升时间 10 ns 25 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1699pF @6V(Vds) 2010pF @6V(Vds) -

额定功率(Max) 800 mW 4.2 W 1.1 W

下降时间 70 ns 60 ns 110 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.6 W 2000 mW -

阈值电压 - - 1 V

长度 3 mm 3.1 mm -

宽度 1.7 mm - -

高度 1 mm - -

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -